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深圳市凯斯宇科技有限公司
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产品信息
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-247-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：75 V
Id-连续直流电流：209 A
Rds上漏源导通电阻：4.5毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：410 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：330 W
通道模式：增强
封装：Tube
配置：单
高度：20.7毫米
长度：15.87毫米
晶体管类型：1 N沟道
类型：汽车MOSFET
宽度：5.31毫米
商标：Infineon Technologies
下降时间：130 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：190 ns
工厂包装数量：400
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：130 ns
典型终止时间：23 ns
零件号别名：IRFP2907PBF SP001571058
单位重量：38 g
典型应用
需要软启动的电信应用
好处
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态dv / dt额定值
175°C工作温度
快速切换
重复雪崩允许Tjmax
无铅
描述
HEXFET®功率MOSFET的这种条形平面设计利用
的处理技术来实现每硅面积的极低导通电阻。 该HEXFET
功率MSFET的其他功能是结温为175°C，开关速度快，
重复雪崩额定值得到了提高。 这些优点相结合，
使该设计成为一种非常有效和可靠的设备，可用于多种应用。
额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
209® |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
148® |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
840 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Power Dissipation |
470 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
3.1 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
EAS |
Single Pulse Avalanche Energy0 |
1970 |
mJ |
|
IAR |
Avalanche Current |
See Fig.12a, 12b, 15, 16 |
A |
|
EAR |
Repetitive Avalanche Energy<v |
mJ |
|
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt CT |
5.0 |
V/ns |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds |
300 (1.6mm from case ) |
|
|
|
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw |
10 lbf•in (1.1N•m) |
|