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深圳市凯斯宇科技有限公司
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产品信息
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-263-3
晶体管极性：N沟道
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：150 V
Id-连续直流电流：85 A
漏源导通电阻：12 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压：30 V
Vgs th-栅源极阈值电压：5 V
Qg-萘甲酸：110 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：350 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：4.4毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：9.25毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-对抗：130 S
下降时间：35 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：60 ns
工厂包装数量：800
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：25 ns
典型中断时间：18 ns
零件号别名：IRFS4321TRLPBF SP001565002
单位重量：4 g
应用领域
•运动控制应用
•SMPS中的高效同步整流
•不间断电源供应
•硬开关和高频电路
好处
•低RDSON减少损耗
•低栅极电荷改善了开关性能
•改善的二极管恢复能力改善了开关和EMI性能
•30V栅极电压额定值提高了鲁棒性
•完全表征的雪崩SOA
额定值
|
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
85 CD |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
60 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current @ |
330 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
350 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
2.3 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
±30 |
V |
|
EAS (Thermally limited) |
Single Pulse Avalanche Energy CT |
120 |
mJ °C |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
|
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) |
300 |