深圳市誉辉天成电子有限公司

　　MOS管NCE15P25JI一般特征：

　　VDS=-150v,ID=-25

　　RDS(ON)<135mΩ@vg=-10v(Typ=120)mR

　　RDS(ON)<160mΩ@vg=-4.5v(Typ=131)mR

　　超高密度电池设计

　　先进的挖沟工艺

　　可靠和崎岖的

　　高密度电池设计，超低导通电阻

　　应用程序：

　　便携式设备和电池供电系统

　　封装引脚：

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-150v

　　栅源电压：±20v

　　漏电流连续：-25a

　　漏电流连续(TC=100℃)：(100℃)-17a

　　脉冲漏电流：-140a

　　最大功耗：160w

　　降额因子：1.3W/℃

　　工作结和储存温度范围：-55~150℃

　　誉辉天成之用人理念：以诚信为根本，如果一个人不诚信，那他有再好的能力我们也不会聘请。成为合格的一个誉辉人，必须对客户诚信、对公司诚信，对同事诚信。

　　主营范围：主营各大品牌IC和二三极管，主要经销品牌TI/NS AD、ST/ON/NXP INFINEON、MAXIM IR/FSC/VISHAY、Panjit、ATMSEL STC/ISSI